بررسی تاثیر حذف تک اتمی کربن در نانوشیت گرافن بر میزان شکاف انرژی آن

رسیدن به ابعاد نانو و کشف خواص پیچیده و جذاب آن در سال های اخیر نظر دانشمندان و محققان بسیاری را به خود جلب کرده است. از جمله ی این خواص عملکرد این ساختار ها به عنوان ادوات نیمه رسانا می باشد. در راستای سلیقه کلیه ی شرکت های تولید کننده ی قطعات الکترونیکی می توان از این نانو ساختار ها در ساخت آی سی ها و مدارات حافظه استفاده کرد که یکی از مهم ترین چالش های آن شناخت دقیق ساختار ها می باشد. در میان نانو ساختار ها، گرافن تشکیل شده از کربن خواص شکفت آوری دارد. این مطالعه نیز با در نظر گرفتن این مهم به بررسی رفتار گرافن از نظر رسانایی و میزان شکاف باند انرژی پرداخته است. در این مطالعه برای رسیدن به نیمه رساناهای مثبت و منفی از روش ایجاد حفره استفاده شده است. پژوهش صورت گرفته با حذف تک اتمی از ساختار نانو شیت گرافن با عرض یازده به این نتیجه رسیده است که حذف اتم های موجود در یک ردیف تاثیر یکسانی بر میزان شکاف باند انرژی می گذارد. این تاثیر می تواند اساس طراحی قطعات با ساختار های رسانا، نیمه رسانا و نارسانا باشد.

Keywords:

نانو شیت , گرافن , شکاف باند انرژی , حذف تک اتمی