تحلیل و شبیه سازی ساختار افزاره دو گیتی NFDSOI ISFET
Publish place: National Conference on the Application of New Technologies in Science and Engineering, Electrical and Computer and IT
Publish Year: 1396
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 424
This Paper With 7 Page And PDF and WORD Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
TESCONF01_148
تاریخ نمایه سازی: 16 تیر 1397
Abstract:
افزاره اثر میدان حساس به یون (ISFET) یک سنسور شیمیایی و بیوشیمیایی محبوب می باشد. ISFET معمولی با محدودیت هایی از نظر حساسیت مواجه است که یکی از راههای غلبه بر این مشکل، استفاده از ساختار دو گیتی مبتنی بر تکنولوژی سیلیکون بر روی عایق (SOI) می باشد. ساختار سیلیکون بر روی عایق دو گیتی کاملا و تقریبا تهی شده بر خلاف ISFET، برای مقادیر کمتر یا بیشتر از ولتاژ مرجع، مقدار بهره حداکثری دارد. این امر وضوح بیشتری در سنجش گونه های شیمیایی و بیوشیمیایی ایجاد می کند. در این مقاله عملکرد افزاره اثر میدان حساس به یون دو گیتی SOI کاملا و تقریبا تهی شده (NFDSOI ISFET) را پیاده سازی و رفتار آن توسط ابزار TCAD شبیه سازی می گردد. مشاهده می شود که ولتاژ آستانه و جریان درین به ضخامت لایه فعال افزاره بستگی داشته و اثر دو گیتی هنگامیکه ضخامت لایه فعال کمتر شود، ملموس تر است. همچنین با اعمال پتانسیل به گیت پشتی می توان ولتاژ آستانه و جریان درین را دستکاری نمود.
Keywords:
Authors
بهنام بابازاده داریان
دانشجوی دکتری برق الکترونیک
عبدالله عباسی
دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر، دانشگاه سمنان، سمنان، ایران