شبیه سازی و بهینه سازی ترانزیستورهای با حرکت الکترون زیاد AlGaN/GaN1
Publish place: National Conference on the Application of New Technologies in Science and Engineering, Electrical and Computer and IT
Publish Year: 1396
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 439
This Paper With 8 Page And PDF and WORD Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
TESCONF01_203
تاریخ نمایه سازی: 16 تیر 1397
Abstract:
ترانزیستور با موبیلیتی بالای الکترون که مخفف عبارت انگلیسی آن HEMT است نوعی ترانزیستور اثر میدانی و یا اصطلاحا همان fet است. این نوع ترانزیستور، بعنوان یک نوسان کنندهء موج حامل مایکروویو بکار می رود. اولین بار در سالهای 1969 بررسی شد اما تا سال 1980 ترانزیستوری که بتواند این کار را بکند هنوز به بازار نیامده بود. در این سال بود که اولین نوع آن برای تست کردن آماده شد و در سالهای 1980 تست روی آن شروع گردید. گالیم AlGaAs و آرسانید گالیم GaAs است. علت اینکه از آرسانید گالیم در دو طرف آن استفاده شده برای اینست که حرکت الکترون را در آن ارتقا دهند و این عمده ترین کار برای یک ترانزیستور در نوسان های بالاست. اکثر HEMTها از نوع کانال n هستند تا به قابلیت حرکت و در نتیجه سرعت بالاتر دست یابند. در این مقاله ترانزیستور با موبیلیتی بالای الکترون بررسی و شبیه سازی می شود. ابتدا مقدمه ای از طراحی این ترانزیستور بیان می شود که برای درک بهتر از عملکرد این نوع ترانزیستور، با استفاده از نرم افزار سیلواکو، شبیه سازی و منحنی مشخصات آن رسم می گردد.
Keywords:
Authors
شاهین بازغی کیسمی
دانشجوی دکتری الکترونیک، دانشگاه آزاد واحد گرمسار، ایران
عبداله عباسی
استادیار, دانشکده مهندسی برق وکامپیوتر, دانشگاه سمنان ,سمنان, ایران