مدل سازی انتقال حامل های بار به لایه نقاط کوانتومی در دیود انتشار دهنده نور مبتنی بر نقاط کوانتومیQD-LED

Publish Year: 1396
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 469

متن کامل این Paper منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل Paper (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.

  • Certificate
  • من نویسنده این مقاله هستم

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این Paper:

شناسه ملی سند علمی:

ETECH03_127

تاریخ نمایه سازی: 1 مرداد 1397

Abstract:

دیودهای انتشار دهنده نور مبتنی بر نقاط کوانتومی(-QD (LED در سال های اخیر به شدت مورد توجه و مطالعه دانشمندان قرار گرفته است که به دلیل ویژگی های منحصر بفرد نقاط کوانتومی می باشد که در ساختار این نوع از دیود ها به عنوان لایه گسیل نور استفاده می شود. به طور کلی در ساختار QD-LED ها دو لایه از نیمه هادی های نوع n و نوع p به عنوان لایه ای مابین الکترودها و لایه نقاط کوانتومی قرار میگیرد تا حرکت الکترون ها و حفره ها را به لایه نقاط کوانتومی تسهیل ببخشد. دراین اثر، با مدل سازی لایه ای سعی بر آن شده است که غلظت حامل های اقلیت و اکثریت در لایه های مختلف یک QD-LED اندازه گیری شده و با استفاده از آن جریان ناشی از بازترکیب الکترون ها و حفره ها در لایه QD محاسبه شود.

Keywords:

بازترکیب الکترون و حفره , دیود انتشار دهنده نور , نقاط کوانتومی

Authors

فرشته وهاب زاد

دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر، دانشگاه تبریزتبریز، ایران

علی رستمی

دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر، دانشگاه تبریزکمپانیASEPE تبریز ایران

محبوبه دولتیاری

کمپانیASEPE تبریز ایران