بهنام بابازاده داریان - گروه مهندسی الکترونیک، واحد گرمسار، دانشگاه آزاد اسلامی، گرمسار، ایران
حسن خالصی - گروه مهندسی الکترونیک، واحد گرمسار، دانشگاه آزاد اسلامی، گرمسار، ایران

در این مقاله تقویت کننده کم نویز فرا پهن باند((UWB LNA با خطینگی بالا پیشنهاد شده است. خاصیت خطی به وسیله تکنیک پس اعوجاج (post distortion) و بهینه سازی مقادیر المانها بهبود یافته که در واقع PMOS را به عنوان ترانزیستور کمکی جهت خنثی کردن جریان به اندازه 6,9 دسی بل در مشترک، به کار می گیرد. برای تطبیق ورودی پهن باند، از فیلتر چبیشف سه بخشی میانگذر های غیرخطی مرتبه دوم و مرتبه سوم LNA گیت استفاده شده است. LNA در تکنولوژی CMOS 0.18 پیاده سازی شده است. مزیت طرح، ارایه ساختاری است با خطیسانی بیشتر به گونهای که سبب بهبود IIP3 بازه فرکانسی گردیده است. تقویتکننده با بهره توان 9,6 تا 12,6 دسی بل و عدد نویز 3,9 ( NF) تا 5,8 دسی بل نیز در بازه فرکانسی 3,1 تا 10,6 گیگاهرتز و IIP3 به میزان 28 دسی بل-میلی وات با یک اتلاف توان 10,6 میلی وات با ولتاژتغذیه 1,8 ولت طراحی شده است.

تقویت کننده کم نویز، خطی سازی، تکنیک پس اعوجاج، IIP3