تحلیل مشخصه های ترانزیستور اثر میدانی تونلی گرافینی GTFET در مقیاس نانو
Publish Year: 1396
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 339
This Paper With 5 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
NCNIEE06_096
تاریخ نمایه سازی: 1 مرداد 1397
Abstract:
در این مقاله ساختار و مشخصه های افزاره اثر میدانی تونلی گرافینی (GTFET) در مقیاس نانو بررسی شده است. با بررسی سه ساختاردر نظر گرفته شده برای افزاره شامل گرافین دارای شکاف باند و بدون شکاف باند و ترکیبی از هر دو در میان نواحی سورس، کانال و درین، مشخص گردید که نسبت Ion/Ioff در ساختار ترکیب گرافین دارای شکاف باند و بدون شکاف بهبود قابل توجهی در مقایسه با سایر ساختارها درمقیاس نانو داشته و دارای مشخصه های خروج مناسب تری جهت کاربرد آنالوگ و دیجیتال میباشد. همچنین شبیهسازیها نشان داد با کاهش غلطت ناخالصی نواحی مختلف، جریان کشیده شده و ولتاژ آستانه (Vth) افزاره کاهش مییابد.
Keywords:
Authors
بهنام بابازاده داریان
گروه مهندسی الکترونیک، واحد گرمسار، دانشگاه آزاد اسلامی، گرمسار، ایران
محمدرضا نوری زاده اردبیلی
گروه مهندسی الکترونیک، واحد گرمسار، دانشگاه آزاد اسلامی، گرمسار، ایران