بهنام بابازاده داریان - گروه مهندسی الکترونیک، واحد گرمسار، دانشگاه آزاد اسلامی، گرمسار، ایران
محمدرضا نوری زاده اردبیلی - گروه مهندسی الکترونیک، واحد گرمسار، دانشگاه آزاد اسلامی، گرمسار، ایران

در این مقاله ساختار و مشخصه های افزاره اثر میدانی تونلی گرافینی (GTFET) در مقیاس نانو بررسی شده است. با بررسی سه ساختاردر نظر گرفته شده برای افزاره شامل گرافین دارای شکاف باند و بدون شکاف باند و ترکیبی از هر دو در میان نواحی سورس، کانال و درین، مشخص گردید که نسبت Ion/Ioff در ساختار ترکیب گرافین دارای شکاف باند و بدون شکاف بهبود قابل توجهی در مقایسه با سایر ساختارها درمقیاس نانو داشته و دارای مشخصه های خروج مناسب تری جهت کاربرد آنالوگ و دیجیتال میباشد. همچنین شبیهسازیها نشان داد با کاهش غلطت ناخالصی نواحی مختلف، جریان کشیده شده و ولتاژ آستانه (Vth) افزاره کاهش مییابد.

ترانزیستور اثر میدان تونلی گرافین ، ولتاژ آستانه، سیلواکو (SILVACO)