طاهره رادسر - گروه مهندسی الکترونیک، دانشکده فنی و مهندسی، دانشگاه آزاد اسلامی واحد گرمسار، گرمسار، ایران
حسن خالصی - گروه مهندسی الکترونیک، دانشکده فنی و مهندسی، دانشگاه آزاد اسلامی واحد گرمسار، گرمسار، ایران

در ادامه روند کوچک سازی ابعاد ترانزیستورهای اثر میدان فلز – اکسید – نیم رسانای سیلیکونی و نزدیک شده به محدودیت های تکنولوژی سیلیکون، پیشنهادهای جدیدی جهت جایگزینی آن مطرح شده اند. ترانزیستورهای اثر میدان مبتنی بر نانولوله های کربنی از جمله کاندیدای بلوک اصلی قطعات در آینده نانوالکترونیک هستند. در این مقاله ابتدا ترانزیستورهای اثر میدان نانولوله کربنی و انواع آن از لحاظ ساختار و عملکرد بررسی می شود و شرح مقایسه ای از آن ها ارایه می گردد. سپس اثر مشخصات نانولوله کربنی به کار رفته در ساختار ترانزیستور بر مشخصات جریان – ولتاژ آن مورد مطالعه قرار می گیرد و در انتها نتایج تحقیق ارایه می گردد.

ترانزیستور اثر میدان فلز اکسید نیم رسانا، ترانزیستور اثر میدان نانولوله کربنی، مشخصات جریان – ولتاژ، نانولوله کربنی