طاهره رادسر - گروه مهندسی الکترونیک، دانشکده فنی و مهندسی، دانشگاه آزاد اسلامی واحد گرمسار، گرمسار، ایران
محمدرضا نوری زاده اردبیلی - گروه مهندسی الکترونیک، دانشکده فنی و مهندسی، دانشگاه آزاد اسلامی واحد گرمسار، گرمسار، ایران

از زمانی که اولین ترانزیستورهای اثر میدان فلز – اکسید – نیم رسانا در سال 1960 با موفقیت ارایه شدند، به منظور تامین تقاضای روزافزون برای سرعت بالاتر، ابعاد کوچکتر و ارزانتر، تاکنون تلاش های زیادی انجام شده است. کوچک سازی ابعاد ترانزیستورها، بدون تغییر اساسی در ساختار آن ها، با محدودیت ها و مشکلاتی همراه بوده است. از جمله این موارد می توان به اثرات کانال کوتاه، جریان تونل زنی گیت، شکست دی الکتریک و اثرات حامل های داغ اشاره نمود. در این مقاله در ابتدا به بررسی ترانزیستورهای اثر میدان فلز – اکسید – نیم رسانا و دلایل کوچک سازی ابعاد ترانزیستور پرداخته می شود و در ادامه اثرات کانال کوتاه که به دلیل مقیاس شدن ترانزیستور ایجاد می شود، مورد مطالعه قرار می گیرد و تاثیر مقیاس نمودن ترانزیستور بر منحنی مشخصات آن رسم می گردد.

اثرات کانال کوتاه، ترانزیستور اثر میدان فلز اکسید نیم رسانا، مقیاس شدن ترانزیستور، مشخصات جریان ولتاژ