الکترونیک در ابعاد اتمی
Publish place: International Congress on Science and Engineering
Publish Year: 1396
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 562
This Paper With 5 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
GERMANCONF01_185
تاریخ نمایه سازی: 26 مرداد 1397
Abstract:
مدارها در بخش الکترونیک از ترانزیستورهای NMOS و Pmos به صورت مکمل در کناره هم قرار گرفته اند و به مجموعه ی این مدارها COMS نامیده می شود. در نتیجه امروزه بیشتر مدارها بر روی CMOS ها برقرار است. در نیمه قرن بیستم تحولی عظیم در ادوات الترونیکی ایجاد شد و ترانزیستورها در ساخت مدارات الکترونیکی مجتمع به نیازهای اساسی تبدیل شده است. ساختار نیمه هادی امروزه در بخش مدارهای نیمه رسانا استفاده می شود OFET عملکردن بایان را به عهده دارند و با توجه به اینکه ساختار خازنی در گیت با وارد شدن الکترودهای درین و سورس در مجاورت عایق گیفت و همینطور تشکیل یک کانال هدایت کنترل با ولتاژ گیت می باشد برای این منظور لوله ها با کانال ها در زمینه ی ارتباط ها و سرعت داده ها بیش از اندازه قابل اهمیت می باشد. در اولین نسل از ترانزیستورها می توان گفت با بزرگ بودن مدار پیچیدگی آنها کمتر بود ولی با کوچک شدن آنها پیچیدگی مدارها نیز بیشتر شد. در سال 1895 لایه های اتصالی در بین مدارها بسیار مهم بود ولی با وارد شدن نانو به این عرصه می توان گفت در سال تعداد لایه ها از 0222 عدد به پنج عدد رسید.
Keywords:
Authors
ریوف میلان نورانی
کارشناس مهندسی پزشکی دانشگاه علوم پزشکی ارومیه
آیدین مرادخانی
عضو باشگاه پژوهشگران و محققین ایران
مهلا صنفی
کارشناس مهندسی پزشکی دانشگاه علوم پزشکی ارومیه
الهام نادرعلی
کارشناس مهندسی پزشکی دانشگاه علوم پزشکی ارومیه