شبیه سازی و بررسی نحوه خنثی سازی اثر تغییر دما روی ترانزیستور نانو نوار گرافنی با دو گیت نامتقارن

دراین مقاله با توجه به نتایج بدست آمده از تحقیقات دیگر محققان در سال های اخیر به بررسی تاثیر تغییرات دما بر روی ترانزیستور پرداخته شده و ترانزیستور مورد بررسی در این مجموعه از نوع ترانزیستور نانو نوار گرافنی اثر میدانی GNR-FET می باشد. در اینجا براساس روابط تیوری حاکم بر فیزیک اینگونه از نانو ترانزیستورها، تحلیل اولیه تیوری صورت گرفته و با توجه به روابط معادله پوآسون به بررسی و شبیه سازی عملکرد ترانزیستور در شرایط دمایی متفاوت پرداخته شده است. نتایج حاصل از این بررسی و نمودارهای مربوط به افزاره نشان می دهند که یکی از تاثیر گذارترین عوامل در عبور جریان از مسیر نانو نوارهای کربنی، تغییرات دمای محیط این افزاره می باشد. بررسی ها نشان داد، این ترانزیستور که شامل چند نانو نوار گرافنی با دو گیت نا همگون که در دو طرف کانال با فواصل غیر یکسان قرار دارند، دارای قابلیت تغییر تاثیر پذیری حرارتی و به عبارتی توانایی تنظیم میزان حساسیت به دمای پیرامون می باشد. این امکان بر اساس ایجاد یک ولتاژ روی گیت دور تر به عنوان پارامتر مجزا و مستقل از دیگر پارامترهای حاکم بر ترانزیستور مطرح شده که قابلیت مفیدی را به آن افزوده است و با بررسی های به عمل آمده، کمترین شرایط تاثیر پذیری از دمای محیط، همراه با عملکرد اپتیمم دیگر پارامترها معرفی می گردد.

Keywords:

نانو لوله کربنی (CNT) , نانو نوار گرافنی (GNR) , ترانزیستور اثر میدانی (FET) , معادله پوآسون , خنثی سازی اثر دما