سمیه عمرانی - دانشکده فنی مهندسی،دانشگاه آزاد اسلامی واحد یزد
مجتبی سعیدی مبارکه - پژوهشکده علوم و فناوری نانو، دانشگاه کاشان
مهران ولی - پژوهشکده علوم و فناوری نانو، دانشگاه کاشان
امیر حسین بیانی - پژوهشکده علوم و فناوری نانو، دانشگاه کاشان

گزارش های اخیر در مورد ساخت سلنید ایندیم InSe یک لایه یا چند لایه، چشم انداز هیجان انگیزی از این ماده دو بعدی را نشان می دهد که خواص عالی برای کاربردهای نانوساختار دارد. در این پژوهش ما ابتدا با استفاده از محاسبات اولیه، جذب مولکول دی اکسید کربن CO 2 برروی یک لایه InSe یکنواخت را مطالعه می کنیم. نتایج ما عملکرد برتر سنسور InSe را که با دیگر مواد 2بعدی مانند گرافن MoS2 و فسفرن رقابت می کند و یا حتی در برخی از گازها بالاتر از آن ها می باشد را پیش بینی می کند. ما موقعیت جذب مطلوب این مولکول ها در InSe را تعیین و شناسایی مولکولی دوپینگ، یعنی انتقال بار بین مولکول ها و InSe را به عنوان یک مکانیسم برای قدرت جذب بالا معرفی می کنیم. در این کار ما رابطه نسبت جریان درین-ولتاژ گیت را با استفاده از رابطه NEGF2 برای غلظت های متفاوت گاز بر روی InSe محاسبه کردیم. ویژگی های انتقالی ناهنجاری های بزرگ در جهت آرمچیر InSe نشان می دهد، که با ساختار باند بی نظیر الکترونیکی InSe سازگار است به صورتی که تغییر قابل ملاحظه ای، در نمودار I-V با توجه به اضافه شدن مولکول های گاز نشان می دهد. این حساسیت به جذب باعث می شود InSe یک سنسور فوق العاده گاز باشد و برای کاربردهای الکترونیکی نوید یک ماده فوق العاده را بدهد.

سنسور گاز، سلنید ایندیم ، دی اکسید کربن، مواد 2بعدی