شبیه سازی اختلال رویداد منفرد در تکنولوژی سیلیسیم روی عایق
Publish place: کنفرانس ملی فناوری های نوین در مهندسی برق و کامپیوتر
Publish Year: 1396
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 358
This Paper With 6 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
PCCO01_334
تاریخ نمایه سازی: 26 مرداد 1397
Abstract:
در این مقاله با استفاده از نرم افزار شبیه ساز Silvaco به دلیل امکان اندازه گیری و شبیه سازی برقراری جریان در ترانزیستور و همچنین دارا بودن قابلیت بررسی اختلال رویداد منفرد تعداد الکترون- حفره های ایجاد شده ناشی از انرژی تخلیه شده توسط پرتو آلفا در یک ترانزیستور نوع FinFET مشخص شده و سه ساختار بدون اکسید، نیمه اکسید و تمام اکسید در حالتی که ترانزیستور در معرض تابش و بدون تابش قرار گیرند، مورد بررسی قرار گرفته است. نتایج شبیه سازی نشان می دهد در ساختار تمام اکسید به علت وجود لایهی اکسید مدفون، حامل های کمتری در اثر پرتو آلفا ایجاد می گردد. همچنین این نتایج نشان می دهند که این شرایط در ساختار نیمه اکسید و بدون اکسید به مراتب بحرانیتر می گردد
Keywords:
Authors
نفیسه خسروی
دانشجوی کارشناسی ارشد رشته فیزیک هسته ای، دانشکده فیزیک، دانشگاه دامغان
مهسا مهراد
استادیار گروه مهندسی برق، دانشکده فنی و مهندسی، دانشگاه دامغان
علیرضا قیاسی کرمانیی
دانشجوی کارشناسی رشته مهندسی برق، دانشکده فنی و مهندسی، دانشگاه دامغان
بهزاد بقراطی
عضو هییت علمی گروه مهندسی برق، دانشکده فنی و مهندسی، دانشگاه دامغان