سنسور میدان مغناطیسی تشدیدی جهت دار میکروالکترومکانیکی بر پایه عملکرد تشخیص نوری با تکنیک موج بر فوتونیکی
Publish place: کنفرانس ملی فناوری های نوین در مهندسی برق و کامپیوتر
Publish Year: 1396
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 489
This Paper With 9 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
PCCO01_405
تاریخ نمایه سازی: 26 مرداد 1397
Abstract:
یک سنسور میدان مغناطیسی تشدیدی بر پایه حسگری نوری با تکنیک تغییر ضریب شکست در موجبر فوتونی با استفاده از نرم افزار کامسول طراحی و شبیهسازی شده است. این سنسور از نیروی لورنتز بهره می برد. تشدیدگر این سنسور با سه ماده مختلف سیلیکون، ژرمانیوم و گالیوم آرسناید مورد بررسی قرار گرفته و فرکانس تشدید سوم ساختار به عنوان فرکانس تشدید برای سنسور در نظر گرفته شده که فرکانس تشدید آن برای سیلیکون، ژرمانیوم و گالیوم آرسناید به ترتیب برابر 34/668 kHzو21/094 kHzو20/106 kHz میباشد. خروجی سنسور با تکنیک تغییر ضریب شکست با فشار بر روی موجبر فوتونی میباشد.
Keywords:
Authors
مسعود رافت
دانشجوی کارشناسی ارشد، گروه مهندسی برق، واحد بندرعباس، دانشگاه آزاد اسلامی، بندرعباس، ایران.
فرشاد بابازاده
استادیار، دانشکده مهندسی برق، واحد یادگار امام خمینی (ره) شهر ری، دانشگاه آزاد اسلامی، تهران، ایران