2-D simulation Study of a SOI-MESFET with Two Steps in the Channel to Improve Breakdown Voltage
Publish Year: 1397
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: English
View: 461
متن کامل این Paper منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل Paper (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
JR_CRPASE-4-1_001
تاریخ نمایه سازی: 27 مرداد 1397
Abstract:
The presented structure improves the breakdown voltage in silicon on insulator metal semiconductor field effect transistors (SOI-MESFETs). Two steps have been symmetrically used in the bottom of the channel. To simulate the device behavior, SILVACO software is employed together with Newton-Raphson method in order to numerically solve the equations. These two additional steps increase the breakdown voltage of the proposed devicein comparison with its conventional counterpart. This increase is due to the redistribution of the potenial lines inside the device and modification in electric field in the presence of two additional steps. So, the proposed structure is a proper device for high voltage applications
Keywords:
Authors
ali naderi
Electrical Engineering Department, Energy Faculty, Kermanshah University of Technology, Kermanshah, Iran
kamran moradi satari
Electrical Engineering Department, Energy Faculty, Kermanshah University of Technology, Kermanshah, Iran