چالش های طراحی آی سی های دیجیتال در فرآیندهای ساخت نانومتری

Publish Year: 1393
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: Persian
View: 335

متن کامل این Paper منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل Paper (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.

  • Certificate
  • من نویسنده این مقاله هستم

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این Paper:

شناسه ملی سند علمی:

JR_KEEE-1-2_004

تاریخ نمایه سازی: 27 مرداد 1397

Abstract:

مدارهای مجتمع دیجیتال )یا آی سی های دیجیتال( امروزه در سیستمهای کامپیوتری و مخابراتی بسیار مورد استفاده قرار میگیرند. افزودن کارکردهای هر چه بیشتر به سیستم، نیاز به افزایش کارایی1 و در عین حال کاهش قیمت در مدارهای مجتمع، روند کوچک-مقیاس شدن 2 فناوری را موجب شده است. اما کوچک-مقیاس شدن شتابان فناوری به ویژه در گره های فناوری3 کوچکتر از 45nm چالشهای بزرگی را ایجاد نموده است. در این گره های فناوری از یک سو حفظ دقت نسبی پارامترهای افزاره ها4 و خطوط واصل دشوارتر است و از سوی دیگر حفظ سطح کارایی مطلوب )برای مثال سرعت پردازش ریزپردازنده ها در سیستمهای پردازشی( در طول عمر بسیاری از قطعات تجاری به یک مساله مهم تبدیل شده است. در عین حال مصرف توان پویا و به ویژه توان نشتی، به دغدغه ی مهمی در طراحی مدارهای مجتمع دیجیتال تبدیل شده است، این در حالی است که مصرف توان به ویژه در کاربردهای پرتابل همچون گوشی تلفن همراه و یا تبلتها و لپ تاپها بسیار پر اهمیت است. در این پژوهش مهمترین چالش های طراحی مدارهای دیجیتال در محدوده ی نانومتری مورد بررسی قرار میگیرند.

Authors

مسعود هوشمندکفاشیان

شرکت مخابرات استان خراسان رضوی