بررسی کارایی مدارهای Level Shifter در فناوری FinFET
Publish place: چهارمین کنفرانس ملی مهندسی برق ایران
Publish Year: 1396
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 666
This Paper With 6 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
NEEC04_071
تاریخ نمایه سازی: 11 شهریور 1397
Abstract:
با کوچک تر شدن ابعاد افزاره ها و افزایش مصرف توان، طراحان فناوری FinFET را جایگزین فناوری CMOS کرده اند. این فناوری قابلیت کوچک سازی افزاره ها را فراهم می کند و علاوه بر این به دلیل کنترل عالی گیت بر روی کانال در این فناوری، می تواند مصرف توان را کاهش دهد. در این مقاله هدف بررسی عملکرد مدارهای تبدیل سطح ولتاژ طراحی شده در فناوری CMOS با استفاده از فناوری FinFET است. با استفاده از نتایج شبیه سازی توسط نرم افزار HSPICE مشخص گردید که با استفاده از ترانزیستورهای FinFET چند گیتی و اعمال ولتاژ مناسب به گیت پشتی آنها می توان انرژی مصرفی و تاخیر مدار را کاهش و بازه تبدیل را افزایش داد. اما تغییر فناوری ترانزیستورها می تواند منجر به ایجاد مشکلاتی نظیر Kickback Noise گردد که باید با تغییر ساختار اصلاح گردد.
Keywords:
Authors
فاطمه اسمعیلی
دانشکده مهندسی برق، واحد نجف آباد، دانشگاه آزاد اسلامی، نجف آباد، ایران
ابراهیم برزآبادی
دانشکده مهندسی برق، واحد نجف آباد، دانشگاه آزاد اسلامی، نجف آباد، ایران
هومان فرخانی
دانشکده مهندسی برق، واحد نجف آباد، دانشگاه آزاد اسلامی، نجف آباد، ایران