بررسی اثر اندازه و آلاییدگی با اتم بور و نیتروژن بر خواص اپتوالکترونی نانوسیم الماسی اشباع شده با هیدروژن با استفاده از نظریه تابعی چگالی

در این پژوهش اثر اندازه و همچنین آلاییدگی با اتم بور و نیتروژن بر خواص اپتوالکترونی نانوسیم الماسی که با هیدروژن اشباعشده، بررسی شده است. نانوسیم های الماسی مورد نظر با پیکربندی استوانه ای وجهت گیری رشد [001] انتخاب شده اند.روش بررسی نظریه تابعی چگالی (DFT) است. نتایج محا سبات نشان می دهد گاف الکتریکی نانو سیم الماسی هنگامی که با هیدروژن اشباع می شود در مقای سه با الماسحجیم کاهش می یابد. این پدیده به علت بالابودن نسبت سطح به حجم و به وجود آمدن ترازهای سطحی میان گاف الکتریکیرخ می دهد. همچنین اثر حصر کوانتومی گاف الکتریکی را با افزایش قطر نانوسیم کاهش می دهد. بررسی ساختارهای فونونینشان می دهد که نانوسیم های الماسی آلاییده با بور و نیتروژن پایدار هستند و افزودن آلاییدگی بور نانوسیم را به نیمرساناییبا گاف الکتریکی کوچکتر تبدیل می کند. آلاییدگی با نیتروژن نیز باعث رسانا شدن نانوسیم می شود.

Keywords:

نانوسیم الماسی , نظریه تابعی چگالی , گاف الکتریکی , ساختار نواری , آلاییدگی , اتم بور , اتم نیتروژن