ساخت لایه نازک اکسید قلع به روش سل-ژل و بررسی خواص اپتیکی آن با استفاده از روش اسپکتروسکوپی الیپسومتری

در این مطالعه خواص اپتیکی شامل درصد بازتابش و عبوردهی، ضریب شکست و ضریب جذب و همچنین گاف نواری اپتیکی لایه نازک اکسید قلع ساخته شده به روش سل ژل با استفاده از اسپکتروسکوپی الیپسومتری تعیین شد. لایه نازک اکسید قلع بر روی زیر لایه شیشه با سرعت چرخش 1800 دور بر دقیقه با استفاده از پوشش دهی دورانی لایه نشانی شد. سپس لایه بر روی صفحه داغ با دمای 150 ͦC به مدت 10 دقیقه پخته و بلافاصله در کوره با دمای 450 ͦC به مدت 1 ساعت بازپخت شد. خواص اپتیکی لایه نازک اکسید قلع در محدوده طول موج مریی 300 تا 800 نانومتر با زوایه تابش فرودی ثابت 70 درجه بررسی شد. گاف اپتیکی به دست آمده برای لایه نازک اکسید قلع ساخته شده به میزان 3.8 الکترون ولت تعیین شد.

Keywords:

روش سل-ژل , لایه نازک , اکسید قلع , اسپکتروسکوپی الیپسومتری