بررسی ساختار نواری نانولوله های دسته صندلی سیلیکون کارباید

در این مقاله به بررسی ساختار نواری و خواص الکترونی نانو لوله های دسته صندلی سیلیکون کارباید، به کمک نظریه تابعی چگالی می پردازیم. نتایج محاسبات ساختاری نواری نشان می دهد که تمامی نانولوله های دسته صندلی SiC گاف نواری غیر مستقیم دارند و نیم رسانا می باشند. همچنین با افزایش قطر نانو لوله، میزان گاف نواری و ثابت شبکه محوری که برابر با طول نانو لوله می باشد، افزایش می یابد. سیلیکون کارباید یکی از مواد نانمومتری است که علاقه و توجه زیادی به خود جلب کرده، کاربردهای بالقوه در الکترونیک، الکترونیک نوری، و دستگاه های سنسور دارند. نانولوله سیلیکون کارباید (SiCNT) موادی با گاف نواری عریض هستند که بی اثری بالا شیمیایی، استحکام شکست در میدان الکتریکی، سختی مکانیکی، و تحرک الکترونیکی را دارند.

Keywords:

نظریه ی تابعی چگالی , نانو لوله ی دسته صندلی سیلیکون کارباید , گاف نواری , الکترونیک نوری