بررسی و ارزیابی مشخصات الکتریکی ترانزیستورهای اثر میدان مبتنی بر نانولوله کربنی برای کاربردهای دیجیتالی
Publish place: Second Conference on Energy Infrastructure, Electrical Engineering and Nanotechnology
Publish Year: 1397
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 375
This Paper With 13 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
IRCIVILC02_139
تاریخ نمایه سازی: 13 مهر 1397
Abstract:
در این مقاله به بررسی و ارزیابی مشخصات الکتریکی ترانزیستورهای اثر میدان مبتنی بر نانولوله کربنی می پردازیم.این ترانزیستورها یکی از قابل اعتمادترین موارد برای جایگزینی در آیندهای نه چندان دور به واسطه مشخصاتالکترواستاتیکی و موبیلیتی بالاتر می باشند. این ترانزیستورها شامل پارامترهای مختلفی از قبیل ولتاژ کار، تعداد لولهقطر لوله، گام، مواد مورد استفاده و ثابت دیالکتریک میباشند که کاربری و عملکرد مدارهای دیجیتال را معینمی کنند. این مطالعه به بررسی اثر پارامترهای متفاوت بر روی عملکرد ترانزیستور می پردازد و یک روش جدید برایطراحی و بهینه سازی مشخصه های الکتریکی شامل تاخیر، مصرف انرژی، قابلیت راهاندازی و... در مدارهای دیجیتالیمعرفی می کند.
Keywords:
Authors
رضا ثابت قدم
دانشجو کارشناسی ارشد دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر دانشگاه حکیم سبزواری
رضا علوی
دانشجو کارشناسی ارشد دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر دانشگاه بین المللی امام رضا مشهد