CIVILICA We Respect the Science
(ناشر تخصصی کنفرانسهای کشور / شماره مجوز انتشارات از وزارت فرهنگ و ارشاد اسلامی: ۸۹۷۱)

تصحیح و مدل سازی ناپایداری ولتاژ آستانه (دریفت) در ترانزیستور اثر میدانی فلز-اکسید-نیم رسانا (MOSFET) باکانال کوتاه و کانال بلند در تکنولوژی CMOS

عنوان مقاله: تصحیح و مدل سازی ناپایداری ولتاژ آستانه (دریفت) در ترانزیستور اثر میدانی فلز-اکسید-نیم رسانا (MOSFET) باکانال کوتاه و کانال بلند در تکنولوژی CMOS
شناسه ملی مقاله: UTCONF02_115
منتشر شده در دومین همایش ملی دانش و فناوری مهندسی برق، کامپیوتر و مکانیک ایران در سال 1397
مشخصات نویسندگان مقاله:

علیرضا اشرف زاده مارنونی - کارشناس ارشد برق الکترونیک،دانشگاه آزاد اسلامی واحد ساوه.

خلاصه مقاله:
در این مقاله به بهبود عملکرد ترانزیستور ماسفت پرداخته شده است. در این تحقیق نوع مستطیلی را انتخاب کرده و در ابتدا پارامترهای ساختاری آن مانند ضخامت اکسید، طول گیت و میزان ناخالصی را برای رسیدن به پاسخ بهتر بهینه می کنیم و سپس یک ساختار جدید با استفاده از دو گیت مختلف برای آن پیشنهاد می دهیم تا به عملکرد بهتری برسیم. هدف اصلی این مقاله بهبود اثرات کوتاه کانال ترانزیستور ماسفت مستطیلی می باشد.

کلمات کلیدی:
ترانزیستور، ماسفت، اکسید، گیت و کوتاه کانال

صفحه اختصاصی مقاله و دریافت فایل کامل: https://civilica.com/doc/784149/