طراحی یک تقویت کننده عملیاتی جدید برای کاربرد در مدارهای ولتاژ مرجع

Publish Year: 1397
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 511

This Paper With 7 Page And PDF Format Ready To Download

  • Certificate
  • من نویسنده این مقاله هستم

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این Paper:

شناسه ملی سند علمی:

TECCONF03_011

تاریخ نمایه سازی: 5 آبان 1397

Abstract:

یک قسمت مهم در طراحی مدارهای مجتمع آنالوگ، طراحی و ساخت جریان ها ولتاژهای مرجع با مقادیر به خوبی تعریف شده می باشد. برای اینکه این کار بر روی تراشه و به صورت مجتمع انجام شود، معمولا از مدارهای مرجعی استفاده می شود که مدارهای مرجع گاف انرژی نامیده می شوند. این مدارها نیاز به تقویت کننده های عملیاتی با بهره ی بالا دارند تا بتوانند تغییرات دمایی بسیار پایینی داشته باشند. در این مقاله یک مدار جدید برای تقویت کننده ی عملیاتی پیشنهاد و ارایه می گردد.

Authors

سیدسعید میرهادی

گروه مهندسی برق، واحد بروجرد ، دانشگاه آزاد اسلامی، بروجرد ، ایران

محمدرضا امینی

استادیارگروه مهندسی برق، واحد بروجرد ، دانشگاه آزاد اسلامی، بروجرد ، ایران