مجتبی صادقی - گروه مهندسی برق، واحد شیراز، دانشگاه آزاد اسلامی، شیراز، ایران
زهرا عادل پور - گروه مهندسی برق، واحد شیراز، دانشگاه آزاد اسلامی، شیراز، ایران

در این مقاله یک تقویت کننده کم نویز فوق پهن باند در باند فرکانسی3-12GHz با گین18dB و عدد نویز 1.63-1.96dB با استفاده از تکنولوژی CMOS-0.18μm طراحی و شبیه سازی شده است. در این مدار، ترکیبی از تکنیک حذف نویز و استفاده مجدد جریان برای کاهش نویز و توان مصرفی استفاده شده است، درحالی که گین و خطسانی بهبود قابل توجهی یافته است. منبع نویز غالب، با تکنیک حذف نویز، از بین میرود. علاوه بر این، تطبیق امپدانس ورودی مطلوب با استفاده از هر دو تکنیک سلف سورس دیجنریت شده و فیدبک مقاومتی بدست آمده است. تطبیق امپدانس ورودی کمتر از-10dB می باشد. توان مصرفی تقویت کننده از منبع ولتاژ1.8V، 23.23mW میباشد.

تقویت کننده کم نویز، فوق پهن باند، تکنولوژیCMOS-0.18μm