ساخت نیمه رسانای نوع n و p از لایه نازک ZnTe با نفوذ ناخالصی اکسیژن
Publish place: 09th Iranian Seminar on Surface Engineering
Publish Year: 1387
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 3,637
This Paper With 7 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ISSE09_141
تاریخ نمایه سازی: 3 آبان 1388
Abstract:
کنترل نوع رسانایی نیمه عایق هایی که شامل عنصر روی هستند با مشکلات زیادی روبرو است در این تحقیق دو روش نفوذ ناخالصی اکسیژن در ماده ZnTe بمنظور تولید نیمه هادی نوع N,p مورد بررسی قرار گرفت 1-لایه نشانی با دمای بالا و سپس عملیات حرارتی در کوره معمولی برای تولید نیمه رسانای n .2- ورود گاز اکسیژن به محفظه در حین لایه نشانی در دمای اتاق برای تولید نیمه رسانای نوع p در پژوهش زیر لایه نشانی فیلمهای تلورید روی به روش تبخیر حرارتی در خلاحدود 0.00001 انجام شد.اندازه گیریهای انجام شده از طریق اثر هال مشخص شد که لایه های حرارت داده شده با دمای 600 در اتمسفر از آنجاییکه غلظت اکسیژن در آنها بالاست نیمه رسانای نوع n هستند و فیلمهایی که در حین لایه نشانی در معرض اکسیژن قرار گرفته اند نیمه رسانای نوع p میباشند تصاویر SEM نشان میدهند که اندازه ساختار لایه های رشد داده شده در دمای بالاتر بزرگتر است.در حالیکه فیلمهایی که بادمای زیر لایه پایین تر لایه نشانی شده اند دانه بندیهای کوچکتری دارند.
Keywords:
لایه نازک ZnTe ناخالصی اکسیژن تلورید روی نوع n تلورید روی نوع p
Authors
رسول اژئیان
استادیار ، دانشگاه علم و صنعت ایران
سارا پناهیان ژند
دانشجوی کارشناسی ارشد دانشگاه علم و صنعت ایران
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :