بررسی اثر دامنه سیگنال تزریقی بر روی نویزفاز اسیلاتورحلقوی در تکنولوژی180nm CMOS
Publish place: Secound International Conference on Electrical Engineering
Publish Year: 1396
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 356
This Paper With 9 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ISBNCONF02_016
تاریخ نمایه سازی: 5 آذر 1397
Abstract:
در این مقاله، ساختاری ساده جهت پیاده سازی در اسیلاتور حلقوی ارایه شده است که اثرات تغییر دامنه سیگنال تزریقی بر روی نویزفاز را با پیاده سازی روش قفل تزریقی در این ساختار بررسی کرده ایم. در ساختار ارایه شده، نیازی به هیچ المان اضافی مانند مقاومت وخازن نیست و تنها یک ترانزیستور NMOS و یک ترانزیستور PMOS برای ساخت سلول تاخیر کفایت میکند. شبیه سازی در نرمافزار ADS2008 و با استفاده از کتابخانه 180nm شرکت TSMC بدین صورت انجام پذیرفت که با تزریق سیگنالی هم فرکانس با اسیلاتور و تغییر دامنه این سیگنال به صورت پله ای از مقدار 0,1 تا 0,6 mA با پله های0,1 mA ، نویز فاز را به ازای آفست فرکانسی 100KHZ-10MHZ بدست آوردیم که بر اساس نتایج بدست آمده، نویزفاز حدود %20 بهبود یافت.
Keywords:
Authors
مجتبی نیک مرام
دانشجو کارشناسی ارشد مدارهای مجتمع الکترونیک، موسسه آموزش عالی ادیبان گرمسار
آیدین تفنگدارزاده
استادیار موسسه آموزش عالی ادیبان گرمسار