بررسی تاثیر ناخالصی بر خواص الکترونیکی mos2
Publish place: 1st National Conference on Micro/Nanoscale Technologies
Publish Year: 1397
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 550
This Paper With 7 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
MNTECH01_009
تاریخ نمایه سازی: 23 آذر 1397
Abstract:
در این مقاله تاثیر ناخالصی بر خواص الکترونیکی mos2 بررسی می شود. برای این منظور ابتدا تک لایه ای از mos2 به شکل هگزاگونال را در نظر گرفته و ساختار الکترونیکی بدون آلایش آن مورد مطالعه قرار می دهیم. سپس با تاثیر ناخالصی، ساختار الکترونیکی mos2 را مورد بررسی قرار می دهیم. این بررسی توسط نرم افزار شبیه ساز Quantum ESPRESSO و در چارچوب نظریه تابعی چگالی انجام شده است. مشاهده می شود که ناخالصی سبب نغییر در خواص ماده ی ما خواهد شد.
Keywords:
Authors
سمیه احمدی سلطانسرایی
گروه فیزیک، دانشگاه بین المللی امام خمینی (ره) انتهای خیابان نوروزیان، قزوین .
شکوفه پور موسی
گروه فیزیک، دانشگاه بین المللی امام خمینی(ره)انتهای خیابان نوروزیان، قزوین .