سمیه احمدی سلطانسرایی - گروه فیزیک، دانشگاه بین المللی امام خمینی (ره) انتهای خیابان نوروزیان، قزوین .
شکوفه پور موسی - گروه فیزیک، دانشگاه بین المللی امام خمینی(ره)انتهای خیابان نوروزیان، قزوین .

در این مقاله تاثیر ناخالصی بر خواص الکترونیکی mos2 بررسی می شود. برای این منظور ابتدا تک لایه ای از mos2 به شکل هگزاگونال را در نظر گرفته و ساختار الکترونیکی بدون آلایش آن مورد مطالعه قرار می دهیم. سپس با تاثیر ناخالصی، ساختار الکترونیکی mos2 را مورد بررسی قرار می دهیم. این بررسی توسط نرم افزار شبیه ساز Quantum ESPRESSO و در چارچوب نظریه تابعی چگالی انجام شده است. مشاهده می شود که ناخالصی سبب نغییر در خواص ماده ی ما خواهد شد.

ناخالصی،mos2،هگزاگونال،Quantum ESPRESSO نظریه تابعی چگالی، اپتو الکتریک