بررسی یک ساختار جدید از ترانزیستور اثرمیدانی تونلی بدون اتصال ناهمگن CdTe / Ge دو گیتی با نوسانات زیر آستانه کم، جریان حالت خاموش کم و جریان حالت روشن بالا

در این مقاله یک ساختار جدید از ترانزیستور تونلی با تکنولوژی سیلیسیم بر روی عایق ارایه شده است. در این ساختار ماده کادمیوم تلوراید به عنوان ناحیه کانال و درین و ماده ژرمانیوم به عنوان ناحیه سورس در نظر گرفته شده اند. ماده ژرمانیوم در سمت سورس گاف انرژی کوچکی به اندازه 0٫67 الکترون ولت دارد که زمانی که افزاره روشن است باعث تونل زنی بالای جریان می شود، بنابراین جریان حالت روشن بالاست. از طرفی وجود ماده کادمیم تلوراید در سمت درین که دارای شکاف باند 1٫45 الکترون ولت می باشد باعث تونل زنی پایین تر می شود، بنابراین جریان نشتی پایین تر می باشد. این رفتار باعث می شود که نسبت کلی lon / IoFF ، در ترانزیستور پیشنهادی در مقایسه با افزاره اولیه بهبود بخشیده شود. نتایج ما با شبیه ساز اطلس نشان میدهد که در ساختار پیشنهادی مشخصه های الکتریکی در مقایسه با ساختار اولیه بهبود یافته است. در ساختار پیشنهادی، جریان حالت روشن و حالت خاموش به ترتیب 3-10 5٫47 و 14-10 1 , 127 آمپر بر میکرومتر، نسبت جریان حالت روشن /جریان حالت خاموش 1012 4٫48 و شیب زیرآستانه 22٫888 می باشند. از طرفی به دلیل افزایش جریان درین مقدار ترارسانایی و هدایت خروجی افزایش یافته اند. بنابراین می توان کاربردهای ترانزیستورهای تونلی را با استفاده از ترانزیستور تونلی بر پایه کادمیوم تلوراید - ژرمانیوم گسترش داد.

Keywords:

تونل زنی باند به باند , ترانزیستور اثر میدان تونلی دو گیتی , سویینگ زیر آستانه