زهرا رستمی بیستونی - دانش آموخته کارشناسی ارشد - , گروه برق , دانشکده فنی مهندسی , دانشگاه آزاد اسلامی , واحد کرمانشاه , کرمانشاه , ایران
حمید شرافت وزیری - عضو هیات علمی , گروه برق , دانشکده فنی مهندسی , دانشگاه آزاد اسلامی , واحد کرمانشاه , کرمانشاه , ایران

ویژگی های الکتریکی لایه های سیلیکو نی پلی کریستالی به ساختار دانه ها بستگی دارد. این مقاله توصیف جامع از رشددانه پلی سیلیکون در طیف گسترده ایی از دوپینگ و شرایط پردازش را نشان می دهد , دوپینگ پلی سیلیکون با B , As , p می باشد این نتایج نشان میدهد که دوپینگ نوع n باعث افزایش رشد دانه می شود , در حالیکه دوپینگ نوع P دارای اثر ناچیزی است , تاثیر رشد دانه را بر روی خاصیت پیزورزیستیویته نیز مشاهده می شود.

پیزورزیستیو، دوپینگ، ناخالصی , نفوذ , رشد دانه