ارزیابی روش های مدلسازی تخلیه الکتریسیته ساکن (ESD) در مدارهای الکترونیکی

هنگامی که دو قطعه با بارهای الکتریکی نامساوی با یکدیگر تماس پیدا می کنند، الکترونها از قطعه ای که دارای بار بیشتر است به سمت قطعه دیگر حرکت می کنند، تا تعادل بار برقرار شود این پدیده همان مفهومی است که در فیزیک به آن تخلیه الکترواستاتیکی (ESD) می گویند. مدل سازی تخلیه الکتریسیته ساکن از اهمییت بالایی برخوردار است. در این مقاله بابررسی آثارمخرب پدیده ESD برروی مدارات الکترونیکی به بررسی انواع روش های اساسی آزمون این پدیده و تاثیر هر یک بر روی مدارات یکپارچه IC پرداخته میشود. پس از بررسی مدار معادل هریک از روش های آزمون و منحنی خروجی آن نتایج شبیه سازی این مدارها مورد مقایسه و ارزیابی قرار میگیرند.

Keywords:

تخلیه الکتریسیته ساکن (ESD) , مدل HBM , مدل MM , مدل CDM