علی بهاری - گروه فیزیک، دانشکده علوم پایه، دانشگاه مازندران، بابلسر
کبرا حسن زاده - گروه فیزیک، دانشکده علوم پایه، دانشگاه مازندران، بابلسر
مونا امیرصادقی - گروه فیزیک، دانشکده علوم پایه، دانشگاه مازندران، بابلسر
ماندانا رودباری - گروه فیزیک، دانشکده علوم پایه، دانشگاه مازندران، بابلسر

اکسید تیتانیوم و نیترید آلومینیوم را در شرایط به ترتیب فشار بالا و فشار بسیار پایین بر زیر لایه سیلیکونی رشد داده ایم و با استفاده از تکنیکهایی نظیر تابش سینکروترونی ( AES ( Auger Electron Spectroscopy و SEM ( Scanning Electron Microscope به مطالعه ساختار آنها پرداختیم. بررسیهای به عمل آمده نشان می دهند که فیلم آمورف اکسید تیتانیوم و یا نیترید آلومینیوم بر زیر لایه سیلیکون شکل گرفته است که این ویژگی در کنار بالا بودن ثابت دی الکتریک آنها، می تواند از آنها یک گیت دی الکتریک مناسب به جای اکسید فرا نازک سیلیکون بسازد.

نیمرسانا، فیلم نازک، CMOS اکسید تیتانیوم و نیترید آلومینیوم، تکنیکهای سینکروترون، AES و SEM