علی رستم نژادی - مرکز تحقیقات الکتروسرام، دانشگاه صنعتی مالک اشتر، شاهین شهر، اصفهان.دانشکده فیزیک، دانشگاه صنعتی اصفهان، اصفهان
مهدی صفا - گروه فیزیک، دانشگاه آزاد اسلامی نجف آباد، اصفهان

در این تحقیق منگنایت La0/ 7 (Sr1- x Ba x )0/ 3 MnO3 ( x  0, 0/1, 0/2, 0/ 3) به صورت تک فاز و با اندازه بلورکهای بین 81 تا 82 نانومتر به روش سل- ژل ساخته شده است. خواص ساختاری نمونه ها با اندازه گیری طیف پراش پرتوی ایکس همراه با تحلیل ریتولد آنها و تصاویر میکروسکوپ الکترونی روبشی بررسی شده است. خواص مغناطیسی با اندازه گیری پذیرفتاری مغناطیسی بر حسب دما و خواص الکتریکی با اندازه گیری مقاومت ویژه الکتریکی بر حسب دما و در حضور میدانهای مغناطیسی تا kOe 02 بررسی شده است. نتایج به دست آمده از پذیرفتاری مغناطیسی نشان میدهد که دمای کوری نمونه ها بالاتر از دمای اتاق است. اندازهگیری مقاومت الکتریکی نشان میدهد که دمای گذار فاز عایق- فلز در دو ترکیب La0/ 7Sr0/ 3 MnO3 و La0/ 7 (Sr0/1Ba0/2 )MnO 3 به دماهای پایینتر از دمای اتاق کاهش یافته است. با اعمال میدان مغناطیسی مقاومت الکتریکی این نمونه ها به شدت کاهش مییابد و در دماهای مختلف، مقدار مغناطومقاومت تقریبا به صورت خطی با افزایش میدان مغناطیسی افزایش مییابد. مقدار مغناطومقاومت در میدان اعمالیkOe 02 در نمونه La0/ 7Sr0/ 3 MnO 3 در دمای 572 کلوین، 01 % و در دمای 002 کلوین 41% است. این مقدار برای ترکیب La0/ 7 (Sr0/1Ba0/2 )MnO 3 در دمای 572 کلوین، 31% و در دمای 001 کلوین 72% است. مقادیر به دست آمده برای مغناطومقاومت برای کاربرد در حسگرهای مغناطیسی مناسب هستند. تغییرات دیده شده در خواص الکتریکی منگنایت La0 7 (Sr1x Ba x )0 3 MnO3 بر حسب پراکندگی اسپینی حاملهای بار از مرزدانه ها و تونلزنی وابسته به اسپین آنها در بیندانه ها توصیف شده است.

منگنایت، مقاومت ویژه، مغناطومقاومت بیندانه ای، پراکندگی و تونل زنی اسپینی، پذیرفتاری مغناطیسی