خواص مغناطیسی عایق های توپولوژیکی مغناطیسی سه بعدی: اثرات انحنای شش گوشی
Publish place: The Physics Society Of Iran، Vol: 17، Issue: 5
Publish Year: 1396
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: Persian
View: 566
This Paper With 10 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
JR_PSI-17-5_005
تاریخ نمایه سازی: 30 دی 1397
Abstract:
در این مقاله خواص مغناطیسی عایق های توپولوژیکی سه بعدی آلاییده با اتمهای مغناطیسی بررس ی شده است. قفل شدگی اسپین - مدار الکترونهای سطحی سبب بروز رفتارهای مغناطیسی جالبی میشود که در سیستم های متعارف بدون برهمکنش اسپین- مدار قابل مشاهده نیست. از جمله این خصوصیات میتوان به وابستگی شدید دمای گذار فرومغناطیس - پارامغناطیس سیستم به پارامترهای مختلف آن اشاره کرد. در این مقاله اثرات انحنای شش گوشی را با استفاده از رهیافت میدان متوسط، روی پارامتر نظم، دمای بحرانی، و پذیرفتاری مغناطیسی سیستم مطالعه کردهایم
Keywords:
Authors
جهانفر ابویی
دانشکده فیزیک، دانشگاه تحصیلات تکمیلی علوم پایه زنجان، زنجان
مریم مقررجهرمی
دانشکده فیزیک، دانشگاه تحصیلات تکمیلی علوم پایه زنجان، زنجان
سعید عابدین پور
دانشکده فیزیک، دانشگاه تحصیلات تکمیلی علوم پایه زنجان، زنجان