تقویت کننده ی ترا امپدانس 20Gb/s با کاربرد در گیرنده های فیبر نوری مبتنی بر استفاده از سلف فعال برای افزایش پهنای باند در فناوری 90nm CMOS

در این مقاله یک تقویت کننده ی ترا امپدانس در فناوری 90nm CMOS ارایه شده است که از یک سلف فعال بههمراه ساختار کسکود تنظیم شده بهره می برد. عموما برای افزایش محدودیت پهنای باند این تقویت کننده ها در یک بهره یثابت، از سلف های فیزیکی مجتمع استفاده می شود، اما به کار بردن یک سلف فعال می تواند مساحت تراشه ی نهایی رابه اندازه ی قابل توجهی کاهش دهد. در شبیه سازی های انجام شده با استفاده از نرم افزار Cadence Custom IC مقایسه پاسخ فرکانسی تقویت کننده ی ترا امپدانس با حضور سلف فعال و بدون آن ارایه شده است، همچنین جهت مقایسه ی ابعادمدار پیشنهادی در مقابل یک ساختار شامل سلف فیزیکی مجتمع جانمایی های هر دو ارایه شده است. تقویت کننده یشبیه سازی شده دارای پهنای باندی برابر 16.5GHz است که مناسب برای نرخ ارسال اطلاعات 20Gb/s می باشد. علاوه بر این، ساختار پیشنهادی دارای بهره ی 60dBΩ، نویز مجتمع ارجاع داده شده به ورودی 5μA و توان مصرفی 5.3mw می باشد.میباشد.

Keywords:

تقویت کننده ی ترا امپدانس , ساختار کسکود تنظیم شده , سلف فعال , حذف اثر خازنی