ترانزیستور فینفت تونلی InGaAs/InAlAs با شیب زیرآستانه کوچک
Publish place: 3rd International Conference on Electrical Engineering
Publish Year: 1397
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 628
This Paper With 7 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICELE03_175
تاریخ نمایه سازی: 18 اسفند 1397
Abstract:
در این مقاله سعی بر این است با بررسی فینفت تونلی سیلیکون برعایق عملکرد این قطعه را بررسی کنیم و با ترکیبات سه گانه InGaAs/InAlAs طراحی نماییم. در این طراحی به شیب زیر آستانه 45mv/dec با درصد موبیلیتی In(0.4)Al(0.6)AS برای کانال In(0.6)Ga(0.4)AS برای سورس رسیدیم که از محدودیت ماسفت کمتر است.
Keywords:
Authors
حسن پورآذین
گروه برق، دانشکده مهندسی، موسسه آموزش عالی ابن یمین، سبزوار، ایران
سیده فاطمه استیری
گروه برق، دانشکده مهندسی، موسسه آموزش عالی ابن یمین، سبزوار، ایران
سیدابراهیم حسینی
استاد گروه برق، دانشکده فنی مهندسی، دانشگاه فردوسی، مشهد، ایران