CIVILICA We Respect the Science
(ناشر تخصصی کنفرانسهای کشور / شماره مجوز انتشارات از وزارت فرهنگ و ارشاد اسلامی: ۸۹۷۱)

ترانزیستور فینفت تونلی InGaAs/InAlAs با شیب زیرآستانه کوچک

عنوان مقاله: ترانزیستور فینفت تونلی InGaAs/InAlAs با شیب زیرآستانه کوچک
شناسه ملی مقاله: ICELE03_175
منتشر شده در سومین کنفرانس بین المللی مهندسی برق در سال 1397
مشخصات نویسندگان مقاله:

حسن پورآذین - گروه برق، دانشکده مهندسی، موسسه آموزش عالی ابن یمین، سبزوار، ایران
سیده فاطمه استیری - گروه برق، دانشکده مهندسی، موسسه آموزش عالی ابن یمین، سبزوار، ایران
سیدابراهیم حسینی - استاد گروه برق، دانشکده فنی مهندسی، دانشگاه فردوسی، مشهد، ایران

خلاصه مقاله:
در این مقاله سعی بر این است با بررسی فینفت تونلی سیلیکون برعایق عملکرد این قطعه را بررسی کنیم و با ترکیبات سه گانه InGaAs/InAlAs طراحی نماییم. در این طراحی به شیب زیر آستانه 45mv/dec با درصد موبیلیتی In(0.4)Al(0.6)AS برای کانال In(0.6)Ga(0.4)AS برای سورس رسیدیم که از محدودیت ماسفت کمتر است.

کلمات کلیدی:
فین فت تونلی، سه گیتی، سیلیکون بر عایق، اثرات کانال کوتاه

صفحه اختصاصی مقاله و دریافت فایل کامل: https://civilica.com/doc/831671/