شیرین نصراصفهانی - دانشجوی پسادکتری بخش مهندسی مخابرات و الکترونیک، دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر، دانشگاه شیراز، شیراز، ایران
سجاد دهقانی - استادیار دانشکده فناوری های نوین، دانشگاه شیراز، شیراز، ایران
محمدحسین شیخی - استاد بخش مهندسی مخابرات و الکترونیک، دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر، دانشگاه شیراز، شیراز ، ایران

در این مقاله، جذب مولکول مونوکسیدکربن بر روی خوشه های کوچک (زیرنانومتری) اکسید قلع ((x, (Sn(x)O(y در محدوده 2-4،با استفاده از نظریه تابعی چگالی مورد مطالعه قرار گرفته است. پایدارترین هندسه بر اساس انرژی جذب مشخص شده است. نتایج نشان می دهد که جذب مولکول مونوکسیدکربن بر روی این ساختارها فیزیکی و گرماده می باشد.خواص الکترونی از جمله مقدار گاف انرژی، مقدار بار انتقالی، انرژی الکترونخواهی، انرژی یونیزاسیون و سختی شیمیایی درچهارچوب رهیافت ΔSCF محاسبه شده اند. بر اساس نتایج بدست آمده، جذب مولکول مونوکسیدکربن منجر به انتقال بار از آن به خوشه های اکسید قلع و افزایش هدایت الکتریکی آنها می شود. در میان خوشه های بررسی شده، خوشه (Sn(4)O(4دارای کمترین گاف انرژی و بیشترین واکنش پذیری شیمیایی است و سیگنال حساس تری برای تشخیص گازمونوکسیدکربن فراهم می کند.

مونوکسیدکربن، خوشه های اکسید قلع، نظریه تابعی چگالی