تاثیر غلظت زیرلایه بر میزان چگالی الکترون ها در ناحیه ی کانال ترانزیستورهای UTBB تمام تخلیه سیلیکون روی عایق
Publish place: 3rd International Conference on Electrical Engineering
Publish Year: 1397
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 515
This Paper With 7 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICELE03_543
تاریخ نمایه سازی: 18 اسفند 1397
Abstract:
در این مقاله به بررسی ساختار ترانزیستورهای با بدنه و لایه اکسید مدفون شده بسیار نازک و تاثیر میزان غلظتزیرلایه بر جریان کانال آن می پردازیم. این افزاره با قرار گرفتن یک لایه اکسید در بستر ادوات بالک به دست می آید.زیرلایه و لایه عایق در این ادوات باعث ایجاد یک گیت دوم به عنوان گیت پشتی می شود. گیت پشتی همانند گیت جلوییمی تواند بر روی جریان کانال ترانزیستور تاثیر بگذارد، اما چون بستر بسیار وسیع است این تاثیر متفاوت خواهد بود. براییک میزان غلظت ثابت زیرلایه هر چه میزان ولتاژ گیت جلویی و گیت پشتی افزایش یابد میزان چگالی الکترون ها افزایشمییابد. با تغییر میزان غلظت زیرلایه از 1e15 تا 1e18 تاثیر این تغییر را در گیت جلویی و گیت پشتی بررسی کردیم و نتیجه گرفتیم که زمانی که غلظت زیرلایه افزایش می یابد میزان چگالی الکترون ها در ناحیه ی کانال ترانزیستور کاهش می یابد و این کاهش زمانی که ولتاژ گیت پشتی برابر 3- ولت است مشهودتر است.
Keywords:
Authors
زهرا حسینی
دانشجوی کارشناسی ارشد، دانشکده فنی و مهندسی، دانشگاه شهرکرد، شهرکرد، ایران
آرش دقیقی
دانشیار گروه مهندسی برق، دانشگاه شهرکرد، شهرکرد، ایران