محمد جوادیان - استادیار گروه مهندسی کامپیوتر ، دانشکده فناوری اطلاعات ، دانشگاه صنعتی کرمانشاه ، کرمانشاه ، ایران
آریان حجازی - دانشجوی کارشناسی ارشد گروه مهندسی برق، دانشکده انرژی، دانشگاه صنعتی کرمانشاه ، کرمانشاه ، ایران

ممریستور یا مموری رزیستور یک عضو الکتریکی دارای 2 ترمینال است که در آن یک ارتباط کاربردی بین بارالکتریکی و شار مغناطیسی برقرار است. وقتی جریان از یک جهت وارد ممریستورمی شود مقاومت الکتریکی افزایش می یابدو وقتی جریان از جهت مخالف آن وارد شود مقاومت کاهش می یابد. اما زمانیکه جریان متوقف شد این عنصر آخرینمقاومتی را که داشته است حفظ می کند. به همین دلیل این عنصر را حافظه مقاومت یا ممریستور نامیده اند. از ساختارمتقاطع ممریستوری برای پیاده سازی شبکه های عصبی مصنوعی، شبیه سازی سیستم های نروفازی و همچنین پیاده سازیروش یادگیری فعال استفاده شده است. این ساختارها قابلیت ذخیره اطلاعات بصورت آنالوگ را دارند و درنتیجه ظرفیتآنها از نظر تیوری بینهایت برابر بیشتر از حافظه های دیجیتال خواهد بود. بطور کلی استفاده از ساختارهای متقاطعممریستوری داری دو فاز میباشد. فاز اول نوشتن اطلاعات بر روی ساختار یا همان فاز یادگیری است و فاز دوم خواندناطلاعات نوشته شده بر روی این ساختارها یا همان فاز استفاده است. در فاز خواندن در ساختارهای متقاطع ممریستوریباید مقدار ممریستنس ممریستورها طوری خوانده شود که مقدار آنها تغییری نکند. بنابرین مداری در خروجی سطرهایساختار متقاطع ممریستوری مورد نیاز است تا مقدار ممریستنس خوانده شده را به ولتاژ یا جریان تبدیل کند. ما در اینمقاله مداری را برای خواندن ممریستنس ممریستورها ارایه میدهیم و روابط مربوطه را استخراج می نماییم.

ممریستور، ساختار متقاطع ممریستوری، ممریستنس، ممداکتنس