تاثیر ذخیره‎ساز گاف باندی فوتونیکی بر درهمتنیدگی اتم و گسیل خودبخودی آن

Publish Year: 1387
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 839

متن کامل این Paper منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل Paper (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.

  • Certificate
  • من نویسنده این مقاله هستم

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این Paper:

شناسه ملی سند علمی:

IPC87_014

تاریخ نمایه سازی: 24 آذر 1388

Abstract:

در این مقاله اثر ذخیره ساز گاف باند فوتونیکی بر درهمتنیدگی اتم سه ترازی نوع ʌ و میدان گسیل خودبخودی اش بررسی میشود. فرض میشود که فرکانس یکی از گذارهای اتمی در نزدیکی لبه گاف باند فوتونیک قرار دارد. نشان داده میشود که اگر فرکانس گذارهای اتمی دیگرنیز درون گاف باند فوتونیک واقع شود (اندکنش با ذخیره ساز گاف باند فوتونیک) در این صورت حالت اتم و تابش خودبخودی آن حتی در حالت پایا نیز درهم تنیده باقی خواهند ماند. اما اگر فرکانس گذارهای اتمی دیگر کاملاًخارج از گاف باند فوتونیک واقع شود (اندرکنش با ذخیره ساز فضای آزاد) در این صورت درهم تنیدگی اتم و تابش خودبخودی آن در حالت پایا رفع میشود.

Authors

صمد روشن انتظار

دانشکده فیزیک دانشگاه تبریز