بررسی تجربی و مدلسازی اثر میدان مغناطیسی بر روی رشد نانولوله های کربنی
Publish place: Iranian Physics Conference 1387
Publish Year: 1387
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 913
This Paper With 5 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
IPC87_036
تاریخ نمایه سازی: 24 آذر 1388
Abstract:
در این مقاله اثر میدان مغناطیسی بر رشد نانولوله های کربنی برروی زیر لایۀ سیلیسیومی در حضور کاتالیست نیکل با استفاده از روش لایه نشانی با بخار شیمیایی به کمک پلاسما بررسی شده است. مشاهده شده است که راستای رشد نانولوله ها و میزان زاویۀ خمش آنها نسبت به راستای عمود متأثر از شدت میدان مغناطیسی اعمالی در هنگام رشد آنها است. همچنین مدلی برای نحوه رشد نانولوله ها در حضور میدان مغناطیسی ارایه شده است که نتایج آن با نتایج تجربی سازگار است.
Authors