اثر ولتاژ الکتروانباشت نامتقارن با لایه سدی ضخیم برساختار بلوری و خواص مغناطیسی نانوسیم های کبالت
عنوان مقاله: اثر ولتاژ الکتروانباشت نامتقارن با لایه سدی ضخیم برساختار بلوری و خواص مغناطیسی نانوسیم های کبالت
شناسه ملی مقاله: IPC87_064
منتشر شده در کنفرانس فیزیک ایران 1387 در سال 1387
شناسه ملی مقاله: IPC87_064
منتشر شده در کنفرانس فیزیک ایران 1387 در سال 1387
مشخصات نویسندگان مقاله:
مریم غفاری - دانشکده علوم، گروه فیزیک، دانشگاه کاشان
محمد الماسی - دانشکده علوم، گروه فیزیک، دانشگاه کاشان
عبدالعلی رمضانی - دانشکده علوم، گروه فیزیک، دانشگاه کاشان
خلاصه مقاله:
مریم غفاری - دانشکده علوم، گروه فیزیک، دانشگاه کاشان
محمد الماسی - دانشکده علوم، گروه فیزیک، دانشگاه کاشان
عبدالعلی رمضانی - دانشکده علوم، گروه فیزیک، دانشگاه کاشان
آرایه ای از نانوسیم های کبالت به روش الکتروانباشت ac نامتقارن درون قالب آلومینای آندی با لایه سدی ضخیم رشد داده شد. ولتاژهای احیا واکسیداسیون مختلفی با مقادیر :(28-28)، (26-28)، (22-26) ،(24 - 26) ،(26 -26) ،(22-28) ،(24-28)، ( 24 -24) و (24-22).اعمال گردید . بررسی ها نشان داد تغییر در ولتاژ اکسایش نسبت به ولتاژ احیا سبب تغییر در ساختار بلوری ، انداره دانه ای ، خواص مغناطیسی و آهنگ رشد می گردد به طوری که بیشینه و کمینه نیروی وادارندگی (1776 و 697/5 اورسند) به ترتیب به ازای ولتاژهای احیا واکسیداسیون (28-24)و(26-24) حاصل شد ،هم چنین مشاهده شد همراه با افزایش نیروی وادارندگی، آهنگ رشد کاهش می یابد.
صفحه اختصاصی مقاله و دریافت فایل کامل: https://civilica.com/doc/83702/