CIVILICA We Respect the Science
(ناشر تخصصی کنفرانسهای کشور / شماره مجوز انتشارات از وزارت فرهنگ و ارشاد اسلامی: ۸۹۷۱)

اثر ولتاژ الکتروانباشت نامتقارن با لایه سدی ضخیم برساختار بلوری و خواص مغناطیسی نانوسیم های کبالت

عنوان مقاله: اثر ولتاژ الکتروانباشت نامتقارن با لایه سدی ضخیم برساختار بلوری و خواص مغناطیسی نانوسیم های کبالت
شناسه ملی مقاله: IPC87_064
منتشر شده در کنفرانس فیزیک ایران 1387 در سال 1387
مشخصات نویسندگان مقاله:

مریم غفاری - دانشکده علوم، گروه فیزیک، دانشگاه کاشان
محمد الماسی - دانشکده علوم، گروه فیزیک، دانشگاه کاشان
عبدالعلی رمضانی - دانشکده علوم، گروه فیزیک، دانشگاه کاشان

خلاصه مقاله:
آرایه ای از نانوسیم های کبالت به روش الکتروانباشت ac نامتقارن درون قالب آلومینای آندی با لایه سدی ضخیم رشد داده شد. ولتاژهای احیا واکسیداسیون مختلفی با مقادیر :(28-28)، (26-28)، (22-26) ،(24 - 26) ،(26 -26) ،(22-28) ،(24-28)، ( 24 -24) و (24-22).اعمال گردید . بررسی ها نشان داد تغییر در ولتاژ اکسایش نسبت به ولتاژ احیا سبب تغییر در ساختار بلوری ، انداره دانه ای ، خواص مغناطیسی و آهنگ رشد می گردد به طوری که بیشینه و کمینه نیروی وادارندگی (1776 و 697/5 اورسند) به ترتیب به ازای ولتاژهای احیا واکسیداسیون (28-24)و(26-24) حاصل شد ،هم چنین مشاهده شد همراه با افزایش نیروی وادارندگی، آهنگ رشد کاهش می یابد.

صفحه اختصاصی مقاله و دریافت فایل کامل: https://civilica.com/doc/83702/