رضا رسولی - دانشکده فیزیک، دانشگاه صنعتی شریف
محمدمهدی احدیان - پژوهشکده علوم و فناوری نانو، دانشگاه صنعتی شریف
اعظم ایرجی زاد - دانشکده فیزیک، دانشگاه صنعتی شریف-پژوهشکده علوم و فناوری نانو، دانشگ

در این مقاله فرآیند جدانشینی سطحی مواد از زیرلایه حین لایه نشانی شبیه سازی و با نتایج تجربی مقایسه گردیده است. به این منظور مدل آرنولد- عزیز تعمیم داده شد و بر اساس آن شبیه سازی انجام گرفت. بر اساس نتایج شبیه سازی نحوه بستگی پدیده جدانشینی سطحی حین لایه نشانی به پارامترهای مختلف شامل نرخ لایهنشانی، سد پتانسیل، دما و ضخامت لایه نشانده شده بررسی گردید. غلظت عناصر سطح در مقیاس نانومتری به صورت تجربی با طیف نگاری فوتوالکترون اشعه XPS) X)، طیفنگاری الکترون اوژه (AES)و اندازهگیری زاویه تماسی قابل ارزیابی است. مقایسه نتایج بدست آمده شبیه سازی و نتایج تجربی صحت نتایج شبیه سازی را تأیید می نماید.