حمیدرضا قلی پور دیزجی - آزمایشگاه رشد بلور، گروه فیزیک، دانشگاه سمنان
ماساکی ایچی مورا - دپارتمان مھندسی فیزیک، الکترونیک و مکانیک، انستیتو تکنولوژی ناگویا

لایه ھای نازک FeSx با استفاده از روش جدید رسوب گذاری فتوشیمیایی بر روی زیرلایه از جنس ITO با استفاده از محلول آبی شامل سولفات آهن (FeSO4) و تیوسولفات سدیم (Na2S2O3) تھیه گردیدند. ازمایشات با و بدون حضور پودر آهن انجام پذیرفت. یک لایه خیلی نازک غنی از لحاظ گوگرد به هنگام عدم استفاده از پودر آهن به دست امد. اما لایه نشانی با استفاده از پودر آهن که روی زیر لایه و نزدیک محل تابش چسبانده شده بود منجر به ایجاد لایه های سیاه غنی به لحاظ آهن و ضخامتی بزرگتراز یک میکرون گردید. لایه های تهیه شده به کمک آزمایشات AES، PEC و XRD, SEM مورد بررسی کیفی قرار گرفتند. اندازه گیری فوتوالکترو شیمی (PEC) نشان داد که لایه FeSx رسانش نوع n داشته و دارای خاصیت فوتورسانایی است.