حمیدرضا جعفری نسب - گروه مهندسی الکترونیک، دانشکده فنی و مهندسی، دانشگاه آزاد اسلامی واحد گرمسار، گرمسار، ایران
کیهان شادمانی - گروه مهندسی قدرت، دانشکده فنی و مهندسی، دانشگاه آزاد اسلامی واحد دماوند، دماوند، ایران
حسن خالصی - گروه مهندسی الکترونیک، دانشکده فنی و مهندسی، دانشگاه آزاد اسلامی واحد گرمسار، گرمسار، ایران

در این ترانزیستورھای اثر میدان نانولوله کربنی، نوید بخش ترین قطعه نانو مقیاس برای پیاده سازی مدارات با کارکرد بالا، چگالی زیاد و توان مصرفی پایین می باشد. یک ترانزیستور اثر میدان نانولوله کربنی از یک نانولوله تک جداره یا آرایه ای از نانولوله ھای تک جداره به عنوان مواد کانال ترانزیستور به جای سیلیکون در ساختارترانزیستور اثر میدان فلز اکسید نیم رسانا مرسوم استفاده می کند. در این تحقیق ترانزیستورھای اثر میدان نانو لوله کربنی را بررسی خواھیم کرد. انواع مختلف آن ھا از لحاظ ساختاری که شامل ساختار مسطح، گیت پایین، گیت بالا، ھم محور استوانه ای ھستند، معرفی می شوند. سپس مشخصات جریان – ولتاژ ترانزیستور استخراج می شود و مورد تحلیل و بررسی قرار می گیرد. در انتھا نتایج تحقیق ارایه می گردد.

ترانزیستورهای اثر میدان نانو لوله کربنی، ترانزیستور اثر میدان فلز اکسید نیمه رسانا، مشخصات ترانزستور