کوانتش میدان الکترومغناطیسی درلایه های دی الکتریک ؛ گاف کریستال فوتونی
Publish place: Iranian Physics Conference 1387
Publish Year: 1387
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 1,017
متن کامل این Paper منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل Paper (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
IPC87_213
تاریخ نمایه سازی: 24 آذر 1388
Abstract:
در این مقاله از نتایج روش کوانتش امواج در دی الکتریکها، به کمک تابع گرین، برای محاسبه گاف کریستال های فوتونی یک بعدی استفاده می شود .در این روش، ماتریس ارتباط بین شدتهای ورودی و خروجی برای یک لایه دی الکتریک بدون اتلاف را به دست آورده و با تعمیم آن ، این ارتباط برای ساختارهای لایه لایه مشخص می شود .با استفاده از این نتایج نمودار نسبت شدت خروجی به ورودی ، بر حسب فرکانس ، برای یک کریستال فوتونی یک بعدی رسم کرده ،گافهای فوتونی را به وضوح نشان می دهیم .همچنین مقایسه ای از گافهای فوتونی محاسبه شده از دو روش کلاسیکی و کوانتومی ارایه می گردد.
Authors
فواد پارسایی
بخش فیزیک، دانشگاه شیراز
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :