توصیف ساختاری و بررسی خواص نوری و الکتریکی لایه های نازک نانوساختار CdSe

در این مقاله لایه های نازک نانوساختار CdSe با رسوبگیری از محلولهای شیمیائی استات کادمیم,سولفیت سدیم و پودر سلنیم تشکیل شده اند. اثر دمای پخت, مدت زمان پخت ومدت زمان رسوبگیری بر روی گاف انرژی نواری مطالعه شده است. وابستگی دمائی رسانش DC لایه های نانوساختار CdSe مورد مطالعه قرارگرفته است. اندازه نانوبلورها از داده های طرح پراش تخمین زده شده است. نشان داده شده است که می توان با کنترل پارامترهای تهیه، گاف انرژی را کنترل نمود.