سویچ زنی حافظه ای در نیم رساناهای آمورف لیتیوم-وانادیوم-فسفات

نمونه های آمورف، با فرمول عمومی mol%50) P2O5 - x mol% V2O5 -(50-x) mol% Li2O) ، به صورت فیلم دمشی ساخته شده است. در میدانهای الکتریکی بالا، سویچ زنی الکتریکی در این نمونه ها مشاهده می شود که به علت گذار از حالت آمورف به کریستال است و در نتیجه آن، مقاومت ماده در ناحیه سویچ کرده به شدت کم می شود. با افزایش اکسید لیتیوم، ولتاژ سویچ زنی بیشتر می شود. علت این رفتار به ایجاد گروه های مولکولی ویژه در شبکه نسبت داده می شود که موجب کاهش پیوستگی شبکه آمورف می شود. مشاهده می شود که این نمونه ها، بعد از سویچ زنی، با از بین رفتن میدان الکتریکی، حالت مقاومت کم را در خود حفظ می کنند و به عبارت دیگر، دارای حافظه هستند.