ساختار الکترونی MgB2 تحت کشش صفحه ای
Publish place: Iranian Physics Conference 1387
Publish Year: 1387
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 863
This Paper With 5 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
IPC87_295
تاریخ نمایه سازی: 24 آذر 1388
Abstract:
محاسبات ابتدا به ساکن پتانسیل کامل در تقریب شیب تعمیم یافته برای دستگاه MgB2 به منظور بررسی اثر کشش صفحه ای بر ابررسانایی این ماده انجام شده و رفتار پارامتر شبکه محوری c نسبت به کشش صفحه ای بررسی شده است. نتایج نشان می دهد تغییرات c در حدود یک سوم تغییرات پارامتر درون صفحه ای a است. علاوه بر این، چگالی حالتها (DOS) و ساختار نواری (BS) این ماده تحت کشش صفحه ای محاسبه شده است. با اعمال کشش صفحه ای مثبت DOS در سطح فرمی ابتدا افزایش و سپس کاهش می یابد. به ازای کشش صفحه ای منفی، DOS در سطح فرمی به طور یکنواخت کاهش مییابد. از نمودارهای ساختار نواری میتوان دید که نوارهای راستای Γ-A با اعمال کشش مثبت به سمت پایین و با اعمال کشش منفی به سمت بالا منتقل میشوند. بر اساس این محاسبات میتوان نتیجه گیری کرد که به ازای کشش صفحه ای مثبت دمای گذار MgB2 بهبود می یابد.
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :